鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款12寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測(cè)量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償，溫度控制**，溫度重復(fù)性高，客戶包括國(guó)際上許多半導(dǎo)體公司及知名科研團(tuán)隊(duì)，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇.

鹵素?zé)鬜TP退火爐技術(shù)特色：

 ? 真正的基片溫度測(cè)量，無(wú)需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償

? 紅外鹵素管燈加熱

? 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性

? 快速數(shù)字PID溫度控制

? 不銹鋼冷壁真空腔室

? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

? 結(jié)構(gòu)緊湊，小型桌面系統(tǒng)

? 帶觸摸屏的PC控制

? 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr，采用二級(jí)分子泵真空度低至5×10-6Torr

? *高3路氣體（MFC控制）

? 沒有交叉污染，沒有金屬污染

真實(shí)基底溫度測(cè)量技術(shù)介紹:

如上圖，由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱，傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測(cè)量基片溫度，由于熱電偶與基片有一定距離，測(cè)量的不是基片真實(shí)的溫度，必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

  鹵素?zé)?/span>RTP退火爐采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測(cè)溫，如上圖，接觸測(cè)溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時(shí)片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置，陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時(shí)被加熱，由于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會(huì)進(jìn)行熱量傳遞，并很快達(dá)到熱平衡，所以片狀Real T/C KIT測(cè)量的溫度就無(wú)限接近基片真實(shí)的溫度，從而實(shí)現(xiàn)基片溫度的真實(shí)測(cè)量。

技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	RTP快速退火爐【柜式】
產(chǎn)品型號(hào)	CY-RTP1000-T12-L
腔體尺寸	12英寸
基片尺寸	≤12英寸
升溫速率	A型為標(biāo)準(zhǔn)配置：≤100℃/S,供電要求:AC220V/50Hz/60Hz，功率50KW
降溫速率	10°C－50°C /s
控溫模式	可預(yù)設(shè)曲線，按流程控溫
控溫精度	±1℃
工作溫度	≤1000℃
測(cè)溫位置	測(cè)溫點(diǎn)置于樣品處
密封法蘭	水冷式
工作真空	6.7×10-5Pa～105Pa均可
可通氣氛	可通：氮?dú)猓瑲鍤猓鯕獾确俏ｋU(xiǎn)、非腐蝕氣體；如需計(jì)量需選配相應(yīng)的MFC，需要額外計(jì)價(jià)。
	氣體質(zhì)量流量計(jì)CY-S48
真空測(cè)量	標(biāo)準(zhǔn)配置：復(fù)合真空計(jì)，量程10-5Pa～105Pa
真空系統(tǒng)	標(biāo)準(zhǔn)配置：VRD4+600L/S分子泵組。
	真空泵CY-4C
供電要求	要求配備32A2P空氣開關(guān)，電源電壓AC220V/50Hz/60Hz
水冷機(jī)組	水箱容量40L，zui大揚(yáng)程44m
整機(jī)尺寸	620mm*650mm*870mm
包裝尺寸	780mm*950mm*1000mm
包裝重量	230KG
隨機(jī)配件	1、說明書1本
	2、隨機(jī)配件1套
	3、配件清單1份

基片類型:

? Silicon wafers硅片

? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片

? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片

? Silicon carbide wafers碳化硅基片

? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽(yáng)能電池的多晶硅基片

? Glass substrates玻璃基片

? Metals金屬

? Polymers聚合物

? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座

鹵素?zé)鬜TP退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：

離子注入/接觸退火，快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)，可在真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等不同環(huán)境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介電材料，晶體化，致密化，太陽(yáng)能電池片鍵合等