產(chǎn)品分類
- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
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電子束蒸發(fā)鍍膜 該設備以電子束蒸發(fā)方式鍍膜設備，主要用于制備各種導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜，微納器件微加工，電鏡樣品預處理...
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小型粉末PVD包覆系統(tǒng) 小型粉末PVD包覆系統(tǒng)是一款小型粉末包覆系統(tǒng)，主要有2英寸磁控濺射頭和振動樣品臺組成。小型粉末PVD包覆系統(tǒng)粉末在振動樣...
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激光鍍膜設備 激光鍍膜設備系統(tǒng)由真空腔室（主濺射室、進樣室）、樣品傳遞機構、樣品架、旋轉(zhuǎn)靶臺、真空排氣、真空測量、電器控制、配氣、計算...
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電子束蒸發(fā)鍍膜儀 電子束蒸發(fā)鍍膜儀系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、E型電子槍、熱蒸發(fā)電極、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測量、電控系統(tǒng)及安...
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ALD原子層沉積系統(tǒng) 原子層沉積（ALD）系統(tǒng)是一種用于在基板表面沉積超薄膜的精密設備，具有原子級別的厚度控制能力。ALD系統(tǒng)通常用于半導體制...
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派瑞林真空氣相沉積 派瑞林真空氣相沉積是一種專業(yè)的產(chǎn)品，用于在材料表面上制備薄膜。它采用了在真空環(huán)境中使用氣相化學反應來沉積薄膜的先進過程。...
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迷你石墨烯CVD設備 迷你石墨烯CVD設備專為石墨烯生產(chǎn)設計配有高精度質(zhì)量流量計以及薄膜真空規(guī)。迷你石墨烯CVD設備同時設備配有可燃氣體檢測裝...
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1200℃高真空迷你C... 1200℃高真空迷你CVD設備核心是一款迷你管式爐，采用電阻絲加熱。1200℃高真空迷你CVD設備包含一臺三路浮子流量計...
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晶圓級大尺寸二硫化鉬制... 晶圓級大尺寸二硫化鉬制備CVD設備包括三溫區(qū)管式爐，特殊設計的爐管及配套氣路一組，晶圓級大尺寸二硫化鉬制備CVD設備通過...
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R-PECVD?真空旋... R-PECVD真空旋轉(zhuǎn)等離子增強CVD設備由旋轉(zhuǎn)及傾斜機構、單溫區(qū)管式爐、等離子發(fā)生機構、質(zhì)量流量計供氣系統(tǒng)、高真空分子...
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雙溫區(qū)CVD系統(tǒng) 雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)由1200℃雙溫區(qū)管式爐、雙通道質(zhì)量流量計和低噪音雙極旋片真空泵組成。雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)管式爐的兩個溫區(qū)分...
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1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)... 1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)量流量計高真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計和高真空分子泵組組成。管式爐由精密...
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1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)... 1500℃單溫區(qū)3路質(zhì)量供氣低真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控...
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1500℃單溫區(qū)3路浮... 1500℃單溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計和高真空分子泵組組成。管式爐由精密控...
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1500℃單溫區(qū)3路浮... 1500℃單溫區(qū)3路浮子供氣低真空CVD系統(tǒng)由1500℃單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐由精密控...
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1200℃三溫區(qū)3路質(zhì)... 1200℃三溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng)由三溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計和高真空分子泵組組成。管式爐三個溫區(qū)分別由精密...
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1200℃三溫區(qū)3路質(zhì)... 1200℃三溫區(qū)3路質(zhì)量供氣低真空CVD系統(tǒng)由三溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐三個溫區(qū)分別由精密...
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1200℃雙溫區(qū)3路質(zhì)... 1200℃雙溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng)由雙溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計和高真空分子泵組組成。管式爐兩個溫區(qū)分別由精密...
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1200℃雙溫區(qū)3路質(zhì)... 1200℃雙溫區(qū)3路質(zhì)量供氣低真空CVD系統(tǒng)由雙溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計和雙極旋片真空泵組成。管式爐兩個溫區(qū)分別由精密...
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1200℃雙溫區(qū)3路浮... 1200℃雙溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng)由雙溫區(qū)管式爐和三路浮子流量計組成。管式爐兩個溫區(qū)分別由精密控溫儀表獨立控溫...
